22 марта 2019 г. Институт физики принимал делегацию Гуандунского союза по научно-техническому сотрудничеству со странами СНГ (г. Гуанчжоу). В ходе визита обсуждались вопросы двустороннего сотрудничества, а также ход реализации Меморандума, подписанного во время визита делегации НАН Беларуси в г. Гуанчжоу в декабре 2018 г.
По давно сложившейся традиции Степановские чтения проводятся в день образования Института физики НАН Беларуси — 17 января. Коллектив института заслушивает доклады по завершенным в предыдущем году научным исследованиям и разработкам, выполненным на высоком научном уровне. Заслушивание докладов по выдвинутым работам и присуждение премий на расширенном заседании Ученого совета проводится в Институте ежегодно, начиная с 1958 года. До 1988 года это мероприятие… Читать далее »
Инновационная исследовательская программа от компании HUAWEI – HIRP (Huawei Innovation Research Program) предоставляет возможность финансовой поддержки инновационных проектов научно-исследовательских институтов и университетов, проводящих исследования в области коммуникационных технологий, информатики, инженерии и смежных областей. Возможен открытый процесс подачи заявок (HIRP OPEN), либо подача заявок по инициативе и приглашению конкретных ученых компанией Huawei (HIRP FLAGSHIP). HIRP OPEN предполагает финансовую поддержку одно-двухлетних проектов… Читать далее »
Институт физики принимает участие в XIII Международной специализированной выставке лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики-2018», которая открылась сегодня в Москве. На стенде Института физики (№ 73B65) представлены образцы импульсных эрбиевых лазеров с диодной накачкой, предназначенных для использования в устройствах, эксплуатируемых в широком диапазоне температур и подверженных ударным и вибрационным нагрузкам. Демонстрируются работающие образцы неодимовых лазеров с диодной… Читать далее »
В Институте физики НАН Беларуси активно разрабатываются технологии роста гетероструктур, перспективных для создания СВЧ и силовых транзисторов, УФ светодиодов и инжекционных лазеров, УФ фотоприемников и сенсоров. В лаборатории физики и техники полупроводников нашего института впервые методом комбинированной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира выращены наногетероструктуры с двумерным электронным газом для транзисторов. Подвижность электронного газа в транзисторных гетероструктурах составила 1940 см2/Вс при… Читать далее »
С Новым годом Вас, дорогие друзья и коллеги! Желаем Вам хороших идей, неугасаемых сил и удачи! Пусть в Ваших домах царят мир и благополучие, а на работе — вдохновение и успех! Желаем, чтобы этот год принес Вам новые возможности и перспективы. Здоровья, любви и счастья Вам и Вашим близким!
