Работа на перспективу
Комментарии к записи Работа на перспективу отключены
В Институте физики НАН Беларуси активно разрабатываются технологии роста гетероструктур, перспективных для создания СВЧ и силовых транзисторов, УФ светодиодов и инжекционных лазеров, УФ фотоприемников и сенсоров. В лаборатории физики и техники полупроводников нашего института впервые методом комбинированной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира выращены наногетероструктуры с двумерным электронным газом для транзисторов. Подвижность электронного газа в транзисторных гетероструктурах составила 1940 см2/Вс при… Читать далее »