В Институте физики НАН Беларуси активно разрабатываются технологии роста гетероструктур, перспективных для создания СВЧ и силовых транзисторов, УФ светодиодов и инжекционных лазеров, УФ фотоприемников и сенсоров. В лаборатории физики и техники полупроводников нашего института впервые методом комбинированной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира выращены наногетероструктуры с двумерным электронным газом для транзисторов. Подвижность электронного газа в транзисторных гетероструктурах составила 1940 см2/Вс при концентрации 1,2⋅1013 см-2, что соответствует лучшим (state-of-the-art) зарубежным аналогам. Эти результаты открывают перспективу развития СВЧ и силовой электроники на широкозонных полупроводниках в Республике Беларусь.
