Центр «Полупроводниковые технологии и лазеры»

Заведующий: Яблонский Геннадий Петрович, доктор физ.-мат. наук

Направления исследований:
• Разработка и создание мощных твердотельных лазеров с диодной накачкой для дальнометрии, лидаров, связи, обработки материалов, медицины.
• Изучение процессов дефектообразования в гетероструктурах инжекционных лазеров и фотоприемных устройств.
• Расчет и сопоставление с экспериментом оптических характеристик диодно-накачиваемых лазеров на основе Nd- и Yb- содержащих кристаллов и стекол.
• Технология молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур AlInGaN для создания на их основе приборов и устройств для систем освещения, фотоприемников, лазеров, силовой и СВЧ электронике.
• Накачка лазерных сред излучением матриц мощных «УФ-зеленых» AlInGaN светодиодов.
• Разработка конвертера излучения «синего» GaN/InGaN ЛД в зелено-желтое излучение ZnMgSSe/ZnCdSe лазера.
• Люминофоры на основе халькогенидов с РЗЭ, лазеры со случайной генерацией.

В состав центра входят:

Лаборатория физики и техники полупроводников
Научный руководитель: Яблонский Геннадий Петрович, доктор физ.-мат. наук

Лаборатория лазерной техники и технологий
Научный руководитель: Рябцев Геннадий Иванович, доктор физ.-мат. наук, доцент