26 международный Симпозиум «Наноструктуры: физика и технологии» прошел в Минске в период с 18 по 22 июня. Он традиционно ежегодно проводится Физико-техническим институтом Российской академии наук и Санкт-Петербургским Академическим университетом. Сопредседателями симпозиума являются нобелевские лауреаты академик Ж.И. Алферов (Россия) и профессор Л. Есаки (Япония). Ж.И. Алферов, учитывая вклад белорусских ученых в исследование полупроводниковых наногетероструктур и других наноструктур, предложил провести очередной симпозиум в Минске на базе Института физики НАН Беларуси. Здесь такое мероприятие уже было успешно проведено в 2009 г.
Организаторами Симпозиума явились научные организации Республики Беларусь и Российской Федерации:
- Национальная академия наук Беларуси,
- Институт физики имени Б.И.Степанова НАН Беларуси,
- Санкт-Петербургский академический университет РАН,
- Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН,
- Научно-технологический центр субмикронных гетероструктур и микроэлектроники РАН,
- Фонд поддержки образования и науки (Алферовский фонд).
На фото: открытие симпозиума (с приветствием выступает академик С.Я. Килин )
На 26-м Симпозиуме основное внимание было уделено новейшим достижениям в области физики, технологий и применений твердотельных и живых наноструктур. Он направлен на объединение усилий различных научных групп, активно работающих в этих очень важных направлениях в Российской Федерации, Республике Беларусь, в странах Европы, Америки и Азии. Научная тематика Симпозиума охватывала исключительно широкий спектр исследований физических явлений, а также технологических аспектов, связанных с созданием, изучением и использованием наноструктур:
- Лазеры и оптоэлектронные устройства (диодные, дисковые лазеры, лазеры с верткальным резонатором, лазеры на гетероструктурах с квантовыми точками, лазерные гетероструктуры и др.);
- Графен (ап-конверсионные процессы, Оже рекомбинация, терагерцовое излучение в графеновых структурах, теории оптических и электрических свойств графеновых структур, технологии наноструктур и др.);
- Микрорезонаторы и фотонные кристаллы (теории экситон-поляритонных систем, нелинейные поляризационные нестабильности, многократные рассеяния волн монослоями сферических частиц и др.);
- Инфракрасные и микроволновые явления в наноструктурах (терагерцовые квантово-каскадные лазеры, спектроскопия квантовых точек в далекой инфракрасной области спектра, терагерцовое излучение GaN нанопроволок и др.);
- Нульмерные состояния (неклассическое излучение света квантовыми точками-микролинзами, оптические свойства дефектных центров в алмазе и кремнии и др.);
- Наноструктурные устройства (наноматеры для сенсоров, переключателей, источников, люминесцентных и электро-химических сенсоров, фотоакустическая генерация, InGaN, GaN гетероструктуры для транзисторов и др.);
- Плазмоника (оптические метаматериалы, люминисцентные кремниевые наноструктуры, эффекты в нанопористом стекле, поверхностные плазмон поляритоны в кремниевых наноантеннах, усиление спонтанного излучения в кремний-органических периодических структурах и др.);
- Технология наноструктур (технологии метаматериалов, структур для фотовольтаических устройств, технолгогии формирования метаматериалов, новые гибридные органические-неорганические комплесы нанопроволок фосфида галлия, MBE рост GaN-нанопроволок и гетероструктур AlGaN для HEMT-транзисторов, гетероструктур на основе арсенида галлия для излучателей терагерцового диапазона, эпитаксиальные структуры Si/GaN для MEMS и др.);
- Магнитные явления в наноструктурах (графеновые наноструктуры в сильном магнитном поле, циклотронный резонанс, спектроскопия уровней Ландау в квантовых ямах, ГГц- и спиновые волны в пленках YIG и др.);
- Характеризация наноструктур (нанопористые полупроводники, электронная микроскопия, рефлектрометрия рентгеновских волн, пространственные моды в резонаторе, фотолюминесценция полимерных и полупроводниковых наноструктур, определение ширины запрещенной зоны нанослоев GaAsN и др.);
- Экситоны в наноструктурах (биэкситоны в полупроводниковых квантовых точках, горячие экситоны и свойства гетероструктур CdSe/ZnSe, энергетические спектры экситонов в квантовых ямах, трионы в объемных материалах и др.);
- Спиновые явления в нанокристаллах (спины ядер в квантовых точках, магнитопроводимость состояний в квантовых точках, спин-Холл эффект и др.);
- Квантовые ямы и квантовые точки (энергетические уровни в квантовых точках в магнитных полях, плазмонное усиление фотолюминесценции, рост нанопроволок методом молекулярно-пучковой эпитаксии и др.).
В работе Cимпозиума приняли непосредственное участие 120 ученых из Беларуси, России, США, Великобритании, Германии, Австрии, Франции, Дании, Канады, Японии. На самом же деле география участия была гораздо шире – среди соавторов представленных докладов — ученые из 28 стран, помимо перечисленных — из Украины, Литвы, Казахстана, Молдовы, Армении, Китая, Швеции. Исландии, Ирландии, Нидерландов, Норвегии, Испании, Южной Кореи, Польши, Чехии, Турции, Египта, Южной Африки.
Программный комитет Симпозиума проводит конкурс среди молодых ученых на лучший доклад в области твердотельных наноструктур. Победителю вручается диплом и денежный приз в размере 1000 долларов США из Алферовского фонда. На нынешнем Симпозиуме победителем этого конкурса стала научный сотрудник Института физики имени Б.И. Степанова НАН Беларуси Наталья Владимировна Тарасенко.
По оценкам участников, Cимпозиум прошел на высоком научном и организационном уровне, способствовал обмену новейшей научно-технической информацией в области физики, технологий создания и применений наноструктур, выявлению наиболее перспективных направлений дальнейших исследований и разработок налаживанию и укреплению научных и деловых контактов белорусских ученых с зарубежными коллегами из ведущих мировых научных центров.
