Микрочип лазер с преобразованием на основе вынужденного комбинационного рассеяния

Назначение и область применения:

Микрочип лазеры представляют собой твердотельные лазерные системы с размерами порядка 1-3 мм, использующие в качестве источника возбуждения эффективные и компактные диодные лазеры. Невзирая на малые размеры микрочип лазеров, их выходное излучение может достигать высоких интенсивностей, что делает их привлекательными для использования в различных областях науки и техники.

Впервые показана возможность создания микрочип лазеров за счет использования нелинейно-оптического эффекта вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР) света. Разработан способ использования ВКР света для укорочения длительности и повышения мощности импульсного выходного излучения в таких системах. На основании проведенных экспериментальных исследований создана лабораторная лазерная система.

Области практического применения микрочип лазеров: нелинейная оптика, спектроскопия, биология, медицина, геофизические измерения, контроль производства ПП приборов, лазерная очистка, микротехнологии, маркировка изделий, экология.

Технические характеристики:
Длина волны излучения: 1,064 – 2, 44 мкм
Длительность импульсов лазерного излучения: до 50 пс
Мощность импульсного излучения: до 40 кВт
Частота следования импульсов: 10 – 30 кГц

Разработчик: В.А. Орлович, Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси

Изготовитель: Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси



Последнее обновление 30.06.2010